电子陶瓷基板的由来及应用
中国科学院上海硅酸盐研究所（SICAS）11月9日在上海举行了关于电子陶瓷材料发展的历史及由来的座谈会，内容丰富，主题新颖、前沿，引起了在座人员热烈的讨论。教授表示国外公司已经研发出了新型氮化硅陶瓷基板（Si3N4），它的抗弯强度、断裂韧性都可以达到氮化铝的2倍以上，其陶瓷片的导热系数已经高到180W/m-k，具备较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，且氮化铝与的热阻相接近。
IGBT模块是各种逆变电源的心脏，在新能源汽车、大功率工程机械、智能家居、轨道交通、通讯设备、军工航天等领域应用广泛，而高强度、高导热的氮化铝基板IGBTM模板的关键性材料之一。
在全球半导体技术朝着更大功率、电流、功率的方向发展，对于基片材料的要求也是越来越苛刻，而氮化硅陶瓷基片是集高导热率，高强度于一身的综合性能的优秀基板材料，氮化硅陶瓷基板必将是未来半导体器件陶瓷基片的发展趋势，为第三代半导体的发展提供坚实的基础。
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