一般来说，发光二极管的发光效率和使用寿命会随着结温的增加而降低。当结温达到125时，发光二极管甚至会失效。为了使发光二极管的结温保持在较低的温度，需要采用高导热低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺来降低发光二极管的整体封装热阻。

氮化铝陶瓷具有高导热、高强度、高电阻率、低密度、低介电常数、无毒、热膨胀系数与硅匹配等优异性能。它将逐渐取代传统的大功率发光二极管基板材料，成为未来最有前途的陶瓷基板材料。

氮化铝陶瓷工业的基本情况

氮化铝陶瓷是以氮化铝为主要晶相的陶瓷。它是一种综合性能优异的新型陶瓷材料，被认为是封装新一代半导体和电子器件的理想材料。氮化铝陶瓷具有优异的综合性能，理论热导率为320瓦/(米)，优异的热导率，可靠的电绝缘性，低介电常数和损耗，无毒，热膨胀系数与硅匹配。

工业应用情况

(1)氮化铝粉末纯度高、粒径小、活性高，是制造高导热氮化铝陶瓷基板的主要原料。

(2)氮化铝陶瓷基板具有高热导率、低膨胀系数、高强度、耐高温、耐化学腐蚀、高电阻率和低介电损耗，是大规模集成电路的理想散热基板和封装材料。

(3)氮化铝具有比传统氧化铝更高的硬度，是一种新型耐磨陶瓷材料。然而，由于其高成本，氮化铝只能用于严重磨损的零件。

(4)利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

(5)氮化铝耐热，耐熔融金属腐蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中容易腐蚀。当暴露在潮湿空气中时，AIN新生表面将反应形成极薄的氧化膜。利用这一特性，它可用作坩埚和铸模材料，用于熔化铝、铜、银、铅和其他金属。氮化铝陶瓷具有良好的金属化性能，可替代电子工业中有毒的氧化铍陶瓷。