氮化铝陶瓷片（AIN）是新型功能电子陶瓷材料，是以氮化铝粉作为原料，采用流延工艺，经高温烧结而制成的陶瓷基片，具有氮化铝材料的各种优异特性，符合封装电子基片应具备的性质，是高密度，大功率，多芯片组件等半导体器件和大功率，高亮度的LED基板及封装材料的关键材料，被认为是最理想的基板材料，广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业。

氮化铝陶瓷性能特点：

1、热导率高，是氧化铝的5-10倍。

2、热膨胀系数（4.5-10-6/℃）与半导体硅材料（3.5-4.0-10-6/℃）匹配。

3、机械性能好，抗弯强度高，接近氧化铝。

4、电学性能优良，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗。

5、电路材料的相容性好，可以进行多层布线，实现封装的高密度和小型化。

6、无毒、环保。

陶瓷产品处理形式：

1、可根据客户需求做表面金属化镀金、镀银、镀铜等金属，其导热效果更好。

2、常规类陶瓷产品可做抛光处理（可进行单、双面抛光），抛光之后的表面光洁度为Ra:0.02-0.05μm，无孔洞现象。

3、其他处理方式可依客户的图纸要求加工。

氮化铝陶瓷加工：

1、开模具加工：除激光加工外的产品都需要开模具加工。

2、激光加工产品：根据客户要求,采用激光产品(氮化铝、氧化铝、氧化锆等）进行划线、打孔及开糟加工，激光打孔最小孔径0.05mm，激光切割厚度2mm以下，其产品加工精度高，重复性好。

氮化铝陶瓷应用：

氮化铝陶瓷基板广泛应用于混合集成电路互连基板、 微波器件、 光电通信、 传感器、 MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、又指电容和螺旋电感等。